详情介绍：
蚀刻装置
干法蚀刻设备APIOS NE-950EX
量产的 LED 用干法蚀刻设备“NE-950EX"与我们的传统产品相比，生产率提高了 140%。它是配备ICP高密度等离子源和ULVAC开创星形电极的干法蚀刻设备。
特征
- 实现高生产率（与我们的传统产品相比提高 140%）。
4英寸晶圆可以同时批处理7个晶圆，6英寸晶圆可以同时批处理3个晶圆。
29 个小直径 2 英寸晶圆和 12 个 3 英寸晶圆是可能的。 - 配备了拥有超过 600 种化合物半导体的跟踪记录的磁场 ICP (ISM * 1) 高密度等离子体源。
- 实现高生产率（与我们的传统产品相比提高 140%）。
* 1: ULVAC 砖利号 3188353 - 配备了 ULVAC *初开发的星形电极 *2，以防止 RF 输入窗口上出现污垢。
- 实现高生产率（与我们的传统产品相比提高 140%）。
* 2: ULVAC 砖利号 3492391 - 通过的仓库措施实现了可维护性、长期稳定性和可靠性的硬件。
- 工艺应用丰富的干法刻蚀技术（GaN、蓝宝石、各种金属、ITO、SiC、AlN、ZnO、四元化合物半导体材料等）。
- 丰富的可选功能。
采用
- LED、蓝宝石、各种金属、ITO等用GaN的各种干法刻蚀。
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